[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 201410768800.8 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716022A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 日野出大辉;太田乔;西东和英 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;李英艳 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法，其用于从在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜，其包括：第1磷酸处理工序，向由基板保持单元保持的所述基板供给规定的第1浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及第2磷酸处理工序，在所述第1磷酸处理工序之后，接着向所述基板供给低于所述第1浓度的第2浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述氧化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其是用于从在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜的基板处理方法，其包括：第1磷酸处理工序，该工序向由基板保持单元保持的所述基板供给规定的第1浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及第2磷酸处理工序，该工序在所述第1磷酸处理工序之后，接着向所述基板供给低于所述第1浓度的第2浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述氧化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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