[发明专利]用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制有效
| 申请号： | 201410768915.7 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105321822B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 江国诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有不同应变的NMOS FinFET和PMOS FinFET的电路器件。在示例性实施例中，半导体器件包括其上形成有第一鳍结构和第二鳍结构的衬底。第一鳍结构包括：设置在衬底的表面之上的相对的源极/漏极区域；设置在相对的源极/漏极区域之间且设置在衬底的表面之上的沟道区域；以及设置在沟道区域和衬底之间的第一掩埋层。第一掩埋层包括化合物半导体氧化物。第二鳍结构包括设置在衬底和第二鳍结构的沟道区域之间的第二掩埋层，使得第二掩埋层在组成上不同于第一掩埋层。例如，第二鳍结构可以不包括化合物半导体氧化物。本发明涉及用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面 化合物 半导体器件 沟道 应变 控制 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；以及鳍结构，形成在所述衬底上，其中，所述鳍结构包括：相对的源极/漏极区域，设置在所述衬底的表面之上；沟道区域，设置在所述相对的源极/漏极区域之间并且设置在所述衬底的表面之上；和掩埋层，设置在所述沟道区域和所述衬底之间，其中，所述掩埋层包括化合物半导体氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
