[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410770314.X | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280635B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;程潼文;谢瑞夫;林木沧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出，并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；以及浅沟槽隔离(STI)，所述浅沟槽隔离包括与所述半导体衬底相连接的侧壁，其中，所述浅沟槽隔离从所述半导体衬底的底部突出，并且所述浅沟槽隔离包括：底面，与所述半导体衬底的所述底部接触；顶面，与所述底面相对，其中，所述底面的宽度大于所述顶面的宽度；其中，所述半导体衬底进一步包括与所述浅沟槽隔离的侧壁相连接的鳍结构，所述鳍结构包括：顶面，包括宽度，其中，所述鳍结构的所述顶面高于所述浅沟槽隔离的所述顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
