[发明专利]熔丝结构以及其监控方式有效
申请号: | 201410770334.7 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN105762137B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 苏煜翔 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;G01R31/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种熔丝结构以及其监控方式。该熔丝结构包括一基底、一熔丝主体以及一辅助元件。熔丝主体设置于基底上。辅助元件包括一源极区以及一漏极区分别设置于熔丝主体的两相对侧,辅助元件用以监控并诊断熔丝主体。熔丝主体与源极区以及漏极区电性分离。一种熔丝结构的监控方式包括施加一漏极电压信号至辅助元件的漏极区、施加一栅极电压信号至熔丝主体以及分析由源极区所获得的一信号以诊断熔丝主体的状况。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 监控 方式 | ||
【主权项】:
一种熔丝结构,包括:基底;熔丝主体,设置于该基底上;以及辅助元件,该辅助元件包括源极区以及漏极区,分别设置于该熔丝主体的两相对侧,该辅助元件用以监控并诊断该熔丝主体,且该熔丝主体与该源极区以及该漏极区电性分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410770334.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:CMOS集成电路及工艺方法
- 下一篇:封装结构及其制法