[发明专利]一种多晶硅锭制备方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅生产方法。利用多晶硅铸锭炉六面加热的独特优势，精确控制加热和融化过程热场温度，优化温度梯度，获得硅晶体定向生长的最佳固液界面和长晶速率，从而获得具有特定取向的晶体硅锭。得到的晶体尺寸均匀、大小一致，且能有效改善硅晶体内部缺陷分布，显著提高硅片的少子寿命值，从而提高最终太阳电池的转换效率0.3%-0.5%。

主权项

一种多晶硅锭制备方法，其特征在于按照如下步骤进行：步骤一、将报废硅片，在清洗洁净后，通过加工和筛网分选得到直径为4‑6mm碎硅片；步骤二、把碎硅片在坩埚装料前均匀铺在石英坩埚底部，碎硅片上面用大块边皮料、头尾料覆盖，然后把硅片生产原料加入石英坩埚，把石英坩埚投放到多晶硅铸锭炉里；步骤三、在化料过程中，控制顶部温区温度为1550℃、侧面温区温度从上到下成梯度从1550℃到1316℃、底部温区温度1316℃，使硅料融化过程中从坩埚顶部向坩埚底部融化；步骤四、采用长晶速率测试装置，实时测试硅料融化情况，在距离坩埚底部20mm时结束化料，进入长晶阶段；步骤五、在长晶阶段，以碎硅片作为籽晶，通过调节上锡池、下锡池、以及锡液流速，使坩埚内部形成纵向的温度梯度、横向等温的温度环境，控制以1.3±0.1cm/h的速率稳定生长，获得柱状多晶硅锭。