[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括衬底、存储元件以及选择晶体管。存储元件位于衬底上。选择晶体管位于衬底上且与存储元件电连接。选择晶体管包括选择栅极、第一介电层以及第二介电层。选择栅极位于衬底上。第一介电层与第二介电层相邻，且位于选择栅极与衬底之间。第一介电层比第二介电层邻近存储元件，且第一介电层的厚度大于第二介电层厚度。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：衬底；存储元件，位于所述衬底上；以及选择晶体管，位于所述衬底上，与所述存储元件电连接，其包括：选择栅极，位于所述衬底上；第一介电层，具有第一厚度，所述第一介电层位于所述选择栅极与所述衬底之间；以及第二介电层，具有第二厚度，所述第二介电层位于所述选择栅极与所述衬底之间，且与所述第一介电层相邻，其中所述第一介电层比所述第二介电层邻近所述存储元件，且所述第一厚度大于所述第二厚度。