[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410776644.X | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104733378B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄心岩;郑凯方;邓志霖;陈海清;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于形成集成电路(IC)结构的方法。该方法包括提供包括导电部件的衬底；在导电部件上形成含铝(Al)介电层；在含Al介电层上形成低k介电层；以及蚀刻低k介电层以形成与导电部件对准的接触沟槽。接触沟槽的底部位于含Al介电层的表面上。本发明还涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路(IC)结构的方法，包括：提供包括导电部件的衬底；在所述导电部件上形成覆盖层，所述覆盖层的宽度类似于所述导电部件的宽度；在所述覆盖层上形成含铝(Al)介电层，其中，所述含铝介电层水平地延伸超出所述覆盖层和所述导电部件，并且所述含铝介电层包括具有在从5wt％至20wt％的范围内的组分的Al，在从60wt％至80wt％的范围内的组分的O和在从10wt％至30wt％的范围内的组分的N；在所述含铝介电层上形成低k介电层；以及蚀刻所述低k介电层以形成与所述导电部件对准的接触沟槽，其中，所述接触沟槽的底部位于所述含铝介电层的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
