[发明专利]一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法在审
申请号: | 201410776780.9 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN104465401A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;黄亚清;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法,包括:在预先镀有TFT金属栅极的玻璃基板上依次沉积隔离层、非晶硅层和抗反射保温层;利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶,并利用TFT金属栅极进行掩膜曝光并显影;对非沟道区的抗反射保温层进行刻蚀,并对光刻胶进行脱膜处理;进行激光照射,从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。应用本发明技术方案,能够形成TFT沟道区与非沟道区的温度梯度,实现晶粒从非沟道区向沟道区的人工控制超级横向成长,使得TFT沟道区只含有一个晶界,从而提高载流子迁移率,并使器件在沟道处的性能均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 低温 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法,应用于倒栅结构的薄膜晶体管中,其特征在于,所述方法包括:在预先镀有TFT金属栅极的玻璃基板上依次沉积隔离层、非晶硅层和抗反射保温层;利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶,并利用TFT金属栅极进行掩膜曝光并显影;对非沟道区的抗反射保温层进行刻蚀,并对光刻胶进行脱膜处理,以使沟道区域处的非晶硅层上有抗反射保温层,而非沟道区域处的非晶硅层上无抗反射保温层;进行激光照射,利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度,实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长,从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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