[发明专利]一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法在审

专利信息
申请号: 201410776780.9 申请日: 2014-12-15
公开(公告)号: CN104465401A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;黄亚清;李建华 申请(专利权)人: 信利(惠州)智能显示有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 温旭
地址: 516006 广东省惠州市仲*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法,包括:在预先镀有TFT金属栅极的玻璃基板上依次沉积隔离层、非晶硅层和抗反射保温层;利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶,并利用TFT金属栅极进行掩膜曝光并显影;对非沟道区的抗反射保温层进行刻蚀,并对光刻胶进行脱膜处理;进行激光照射,从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。应用本发明技术方案,能够形成TFT沟道区与非沟道区的温度梯度,实现晶粒从非沟道区向沟道区的人工控制超级横向成长,使得TFT沟道区只含有一个晶界,从而提高载流子迁移率,并使器件在沟道处的性能均匀。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 低温 多晶 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法,应用于倒栅结构的薄膜晶体管中,其特征在于,所述方法包括:在预先镀有TFT金属栅极的玻璃基板上依次沉积隔离层、非晶硅层和抗反射保温层;利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶,并利用TFT金属栅极进行掩膜曝光并显影;对非沟道区的抗反射保温层进行刻蚀,并对光刻胶进行脱膜处理,以使沟道区域处的非晶硅层上有抗反射保温层,而非沟道区域处的非晶硅层上无抗反射保温层;进行激光照射,利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度,实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长,从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。
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