[发明专利]适宜使用RF组件的硅衬底，此类硅衬底形成的RF组件无效
| 申请号： | 201410777866.3 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104715975A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | P·M·拉姆伯金;P·L·菲兹格拉德;B·P·斯坦森;R·C·格金;S·A·莱恩彻;W·A·莱恩 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01P5/18;H01P3/10;H01P1/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本公开涉及适宜使用RF组件的硅衬底，此类硅衬底形成的RF组件。提供硅衬底可通过使用由Czochralski处理形成的硅层并具有沉积在硅层上的载流子寿命时间杀灭层而更便宜地便于形成RF组件。 | ||
| 搜索关键词： | 适宜 使用 rf 组件 衬底 形成 | ||
【主权项】：
一种硅衬底，其包括通过Czochralski方法形成的硅结构，并具有沉积在硅结构上的载流子寿命时间杀灭层。
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