[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410777943.5 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104393130A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，该GaN基LED外延结构依次包括：衬底；GaN成核层；超晶格缓冲层；非掺杂GaN层；N型GaN层；多量子阱发光层；P型GaN层，其中，超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构。本发明可缓解蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配问题，大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的GaN成核层；位于GaN成核层上的超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构；位于超晶格缓冲层上的非掺杂GaN层；位于非掺杂GaN层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱发光层；位于多量子阱发光层上方的P型GaN层。
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