[发明专利]半导体元件、制作方法及其堆叠结构在审
| 申请号： | 201410778226.4 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105789180A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 沈文维;陈冠能;柯正达 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件、制作方法及其堆叠结构，该半导体元件包括一基板、一重布线路层、多个直通硅晶穿孔、一电镀籽晶层、一防氧化层以及一缓冲层。基板具有相对的一第一表面与一第二表面以及多个开孔。重布线路层配置于该第一表面上，而直通硅晶穿孔分别配置于开孔内。电镀籽晶层配置于每一开孔的孔壁与对应的直通硅晶穿孔之间。此外，防氧化层配置于电镀籽晶层与对应的直通硅晶穿孔之间。缓冲层覆盖第一表面并且暴露出重布线路层。此外，一种半导体元件的制造方法以及堆叠结构亦被提及。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作方法 及其 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：基板，具有相对的第一表面、第二表面以及多个开孔，其中该些开孔分别连接该第一表面与该第二表面；重布线路层，配置于该第一表面上；多个直通硅晶穿孔，配置于该些开孔内，并且分别具有相对的第一端与第二端，其中每一该些直通硅晶穿孔的该第一端连接至该重布线路层，而该第二端突出于该第二表面上；电镀籽晶层，配置于每一该些开孔的孔壁与对应的该些直通硅晶穿孔之间；防氧化层，配置于该电镀籽晶层与对应的该些直通硅晶穿孔之间，并且部分的该防氧化层覆盖对应的该些直通硅晶穿孔的该第二端；以及缓冲层，配置于该基板上，并覆盖该第一表面，且暴露出该重布线路层。
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