[发明专利]整合式毫米波芯片封装结构有效
申请号: | 201410778230.0 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN105762138B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 蔡承桦;钟世忠;李静观 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种整合式毫米波芯片封装结构,可包括中介层结构、毫米波芯片与基板。该中介层结构包括一天线图案与至少一电镀通孔结构贯穿该中介层结构且连接至该天线图案。该毫米波芯片通过电镀通孔结构而电连接其上方或下方的该天线图案。 | ||
搜索关键词: | 整合 毫米波 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
1.一种整合式毫米波芯片封装结构,包括:中介层结构,其中该中介层结构包括第一金属层、第二金属层、位于该第一、第二金属层之间的绝缘支撑层,且该中介层结构包括至少一第一电镀通孔结构,贯穿该第一金属层、该绝缘支撑层以及该第二金属层,并电连接该第一金属层以及该第二金属层;至少一芯片,连结至该中介层结构,其中该芯片具有有源面以及位于该有源面上的接触垫;以及基板,连结至该中介层结构,其中该基板至少包括一绝缘层与位于绝缘层上的第三金属层,该第三金属层位于该基板朝向该中介层结构的一侧;该中介层结构的该第一金属层至少包括一天线图案,该天线图案位于该芯片的上方或下方,该芯片通过该中介层结构的该第一电镀通孔结构电连接该天线图案,并且该芯片与该基板通过该第二金属层以及位于该第二金属层与该第三金属层之间的凸块达到电连接。
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