[发明专利]单层基板封装工艺有效
| 申请号： | 201410779648.3 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104576425A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄超;王洪辉 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单层基板封装工艺，包括：在压合铜箔的上表面形成焊盘下部；在相邻的焊盘下部之间压合第一玻璃纤维层；在焊盘下部上同轴形成焊盘上部，焊盘上部的截面积大于焊盘下部的截面积；将压合铜箔蚀刻露出铜柱，使得焊盘下表面完全外露。采用本发明的单层基板封装工艺，增加了焊盘在受到锡球传递来的拉力或推力时的阻力，可有效地防止焊盘脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种单层基板封装工艺，其特征在于，包括：在压合铜箔的上表面形成焊盘下部；在相邻的焊盘下部之间压合第一玻璃纤维层；在所述焊盘下部上同轴形成焊盘上部，所述焊盘上部的截面积大于所述焊盘下部的截面积；将所述压合铜箔蚀刻露出铜柱，使得焊盘下表面完全外露。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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