[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410781362.9 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762118A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李鸿志;余旭升 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底以及介电层。所述介电层位于所述基底上，所述介电层中具有多个开口，所述开口的侧壁具有凹凸轮廓。半导体元件的制造方法，包括：于基底上交替形成多个第一层与至少一第二层；于所述第一层与所述第二层中形成多个开口；以及移除所述开口的侧壁上的部分所述第一层，使所述开口形成为具有凹凸轮廓的侧壁。本发明提供的半导体元件及其制造方法，可以形成侧壁具有凹凸轮廓的接触窗开口，增加移动离子沿着移动的路径，并阻碍移动离子的扩散，从而有效地防止移动离子对半导体元件的损害，进一步提升半导体元件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：基底；以及介电层，位于所述基底上，所述介电层中具有多个开口，所述开口的侧壁具有凹凸轮廓。
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