[发明专利]优化结构的空腔型沟槽肖特基功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410783703.6 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105789329B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王东;郑晨焱 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种优化结构的空腔型沟槽肖特基功率器件及其制造方法，其中，所述肖特基功率器件至少包括：基底及位于所述基底之上的外延层；位于所述外延层内的沟槽，其中，所述沟槽的底部为球形空腔；位于所述沟槽侧壁和所述球形空腔表面上的氧化层，其中，位于所述球形空腔表面上的氧化层的厚度大于所述沟槽侧壁上的氧化层的厚度；填充所述沟槽的高掺杂多晶硅材料；以及位于所述外延层和所述高掺杂多晶硅材料上表面的肖特基金属电极。本发明的肖特基功率器件，采用本发明的上述制造方法，优化了现有空腔型沟槽肖特基功率器件的结构，且无需减少器件正向导通的有效面积，进一步提高了反向击穿电压，从而提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 优化结构 空腔 沟槽 肖特基 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基功率器件的制造方法，其特征在于，所述肖特基功率器件的制造方法至少包括：提供一包含外延层的基底，在所述外延层上形成沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁表面上形成保护层，所述保护层为氮化硅层；保留位于所述沟槽侧壁表面上的所述保护层，对位于所述沟槽内其余位置上的所述保护层进行无掩膜刻蚀以去除位于所述沟槽内其余位置上的所述保护层，使所述沟槽底部暴露在外；在所述沟槽的底部形成球形空腔；在所述沟槽的球形空腔表面上形成第一氧化层，之后去除位于沟槽侧壁表面上的保护层；在所述沟槽的侧壁表面和所述第一氧化层上通过热氧化工艺形成第二氧化层，之后向所述沟槽内填充高掺杂多晶硅材料；在所述外延层和所述高掺杂多晶硅材料上表面形成肖特基金属电极。
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