[发明专利]基于CMOS芯片的射线探测装置及探测方法有效

专利信息
申请号: 201410784051.8 申请日: 2014-12-16
公开(公告)号: CN104502946A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 孙向明;许怒;邹曙光 申请(专利权)人: 华中师范大学
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 代理人: 胡建平;李丹
地址: 430079湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于CMOS芯片的射线探测装置,该装置包括:芯片bonding板;CMOS芯片,固定于芯片bonding板上;传感材料,位于CMOS芯片上方但不与CMOS芯片接触;PCB板,所述PCB板中开有窗口;电极,一侧附在传感材料上,另一侧固定在PCB板上;公开了一种基于CMOS芯片的射线探测方法:在电极上加交变电压;在极板电压由正压切换到负压并保持在负压状态下,探测射线信号;射线透过极板上预留的窗口进入传感材料中,电荷信号通过传感材料与CMOS芯片之间的电容耦合到CMOS芯片上,根据CMOS芯片上所有像素的响应,得到CMOS芯片上的二维信号分布;根据芯片上的二维信号分布,得到射线强度的二维分布。本发明采用传感材料与CMOS芯片不焊接这种方式来探测射线,是一种新的射线探测方法。
搜索关键词: 基于 cmos 芯片 射线 探测 装置 方法
【主权项】:
一种基于CMOS芯片的射线探测装置,包括:芯片bonding板;CMOS芯片,固定于芯片bonding板上;传感材料,位于CMOS芯片上方但不与CMOS芯片接触;PCB板,所述PCB板中开有窗口;电极,一侧附在传感材料上,另一侧固定在PCB板上。
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