[发明专利]焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构在审
申请号: | 201410784459.5 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN105762086A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 陈彧;阎实 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构。该焊盘结构的制作方法包括以下步骤:在半导体基体上形成焊盘,并在焊盘上形成钝化层;在焊盘中未被钝化层覆盖的表面上形成保护层,以阻挡刻蚀等离子体与焊盘接触。该保护层能够阻挡刻蚀等离子体与焊盘接触,从而避免了由于刻蚀等离子体与焊盘反应导致的焊盘腐蚀,进而提高了焊盘的键合效果。同时,该保护层还能避免由于操作失误或操作仪器故障导致的焊盘表面发生划伤,以及落在焊盘表面上的污染物,从而进一步提高了焊盘的键合效果。 | ||
搜索关键词: | 盘结 制作方法 结构 | ||
【主权项】:
一种焊盘结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:在半导体基体上形成焊盘,并在所述焊盘上形成钝化层;在所述焊盘中未被所述钝化层覆盖的表面上形成保护层,以阻挡刻蚀等离子体与所述焊盘接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410784459.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造