[发明专利]晶圆级封装方法有效
| 申请号： | 201410784542.2 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104485295A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 高国华 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有导电金属垫；在所述导电金属垫上形成凸出于衬底表面的金属核；在所述金属核顶面和侧面包覆球下金属层；在所述球下金属层表面形成凸点结构。本发明的有益效果在于：增加了凸点结构与球下金属层之间的结合强度，凸点结构与球下金属层的结构更加稳定，不易发生脱落，进而提升了封装结构的机械稳定程度，并增强了封装结构的热传导性和电传导性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有导电金属垫；在所述导电金属垫上形成凸出于衬底表面的金属核；在所述金属核的顶面和侧面包覆球下金属层；在所述球下金属层表面形成凸点结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司，未经南通富士通微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410784542.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
