[发明专利]光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法有效
申请号: | 201410784924.5 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN105759563B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 邹永祥;杨晓松;王清蕴;卢子轩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/84 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供了一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法。该光罩包括版图,版图包括对准标记,对准标记的个数不少于三个。在进行晶圆的光刻时,光刻机根据不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数,这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确,能够及时、灵敏地反应出晶圆或光罩的沾污问题,进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题,提高了器件的产率及良率。 | ||
搜索关键词: | 以及 沾污 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光罩或晶圆沾污的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括:/n步骤S1,检测一批晶圆中的各个晶圆对应的光罩的光罩膨胀系数,所述光罩包括版图,所述版图包括对准标记,所述对准标记的个数不少于三个;以及/n步骤S2,比较各所述光罩膨胀系数,如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污;/n所述步骤S2包括:/n步骤S21,计算所述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值;/n步骤S22,计算各所述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值,得到一组第一绝对值;以及/n步骤S23,比较上述各所述第一绝对值与第一标准值,其中大于所述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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