[发明专利]扇出晶圆封装方法有效

专利信息
申请号: 201410785167.3 申请日: 2014-12-16
公开(公告)号: CN104465505A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 高国华;郭飞;宣慧 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;骆苏华
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种扇出晶圆封装方法,包括:提供包括第一芯片的衬底;在衬底上依次形成封装层,形成封装层的步骤包括:形成导电互连结构、第二芯片以及介质层,介质层露出导电互连结构以及第二芯片的金属垫;在封装层上形成绝缘层,绝缘层包括与导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。本发明的有益效果在于,将一个或多个第二芯片与一个第一芯片组合封装在一起,第二芯片可以作为辅助芯片配合第一芯片工作,以使整个扇出晶圆封装结构的电气性能得到提升,这种方法相对于现有的再造晶圆工艺来说只需要在主芯片上形成辅助芯片,相对省去了再造晶圆的工艺步骤,降低了生产成本以及工艺的复杂性。
搜索关键词: 扇出晶圆 封装 方法
【主权项】:
一种扇出晶圆封装方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底中包括第一芯片;在所述衬底上依次形成一层或多层封装层,形成所述封装层的步骤包括:形成与所述第一芯片电连接的导电互连结构;在所述第一芯片上未形成所述导电互连结构的部分设置第二芯片,所述第二芯片具有金属垫;在所述导电互连结构和第二芯片之间填充介质层,所述介质层露出所述导电互连结构以及第二芯片的金属垫;在所述封装层上形成绝缘层,所述绝缘层包括与所述导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。
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