[发明专利]MEMS器件的制作方法及MEMS器件在审
| 申请号： | 201410785492.X | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105752928A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 阮炯明;张冬平;万宇;郑超;莫福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS器件的制作方法及MEMS器件。该制作方法包括以下步骤：形成基体结构，基体结构包括第一锗层，位于第一锗层上的锗化硅层，贯穿锗化硅层的沟槽，以及位于沟槽的侧壁和锗化硅层的上表面上的第二锗层；形成覆盖沟槽中的第一锗层的保护膜层；刻蚀去除位于沟槽的侧壁上的第二锗层；去除保护膜层。该制作方法先形成覆盖沟槽中的第一锗层的保护膜层后，再刻蚀去除位于沟槽的侧壁上的第二锗层，而该保护膜层能够避免第一锗层被刻蚀去除，从而解决了由于第一锗层被刻蚀而产生切口的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：形成基体结构，所述基体结构包括第一锗层，位于所述第一锗层上的锗化硅层，贯穿所述锗化硅层的沟槽，以及位于所述沟槽的侧壁和所述锗化硅层的上表面上的第二锗层；形成覆盖所述沟槽中的所述第一锗层的所述保护膜层；刻蚀去除位于所述沟槽的侧壁上的第二锗层；去除所述保护膜层。
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