[发明专利]低发射比的选择性太阳能热吸收涂层及其制备方法在审
申请号: | 201410785936.X | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN104505436A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 马丁;瑞纳;眭凌杰 | 申请(专利权)人: | 福建新越金属材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 泉州市博一专利事务所 35213 | 代理人: | 方传榜 |
地址: | 366000 福建省三*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层,由上往下依次包括减反层、主吸收性涂层以及高反射基底层,该高反射基底层采用大面积电子束蒸发镀膜工艺制备而成,这种镀膜工艺所使用的蒸发材料为铝、铜或者银。本发明还包括一种上述低发射比的选择性太阳能热吸收涂层的制备方法。本发明通过使用一种大面积电子束蒸发镀膜工艺来制备选择性太阳能热吸收涂层的红外高反射基底层,可以增厚红外高反射基底层的厚度,而这些较厚的涂层能够轻易地使选择性太阳能热吸收涂层拥有更低的红外发射比。在拥有更低红外发射比的同时,选择性太阳能热吸收涂层受基材条件的影响也更小。 | ||
搜索关键词: | 发射 选择性 太阳能 吸收 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层,由上往下依次包括减反层、主吸收性涂层以及高反射基底层,其特征在于:该高反射基底层采用大面积电子束蒸发镀膜工艺制备而成,这种镀膜工艺所使用的蒸发材料为铝、铜或者银。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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