[发明专利]LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410788201.2 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465934A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 卢廷昌 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及位于N型半导体层上方的N电极和位于P型半导体层上方的P电极，所述衬底上方的N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层全部或部分刻蚀形成奈米柱，所述奈米柱上方倾斜设有氧化物奈米柱，氧化物奈米柱上方设有二维透明导电层，二维透明导电层串接所有氧化物奈米柱，所述P电极位于二维透明导电层上方。本发明简化了电极制作流程，只采用一次斜向沉积得到倾斜的氧化物奈米柱，再加上二维透明导电层，既可达到串接氧化物奈米柱的效果，又有透明出光的效果，其芯片结构简单且出光效率高，制作方便且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及位于N型半导体层上方的N电极和位于P型半导体层上方的P电极，其特征在于，所述衬底上方的N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层全部或部分刻蚀形成奈米柱，所述奈米柱上方倾斜设有氧化物奈米柱，氧化物奈米柱上方设有二维透明导电层，二维透明导电层串接所有氧化物奈米柱，所述P电极位于二维透明导电层上方。
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