[发明专利]一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉有效
申请号: | 201410794501.1 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN104514032A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 方海生;王森;蒋志敏;王梦莹 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉,包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室,生长室设置有坩埚,绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈,主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈,主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距,有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内,绝热外壳的顶部设置有气流出口,气流出口作为籽晶杆移动通道,绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整生长室局部温度的顶部辅助电阻加热器,所述可伸缩遮热板能调整伸入生长室的长度。本发明能有效的抑制晶体缺陷,提高晶体质量,也能显著的提高晶体成品率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 协调 控制 提拉法 晶体生长 | ||
【主权项】:
一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉,其特征在于:包括绝热外壳(24)及设置在绝热外壳(24)内的生长室(23),生长室(23)设置有坩埚(20),绝热外壳(24)的外部设置有用于对坩埚(20)进行加热的主电磁感应线圈(5),所述主电磁感应线圈(5)的下方设置有副电磁感应线圈(4),主电磁感应线圈(5)和副电磁感应线圈(4)之间存在间距,有多根底部进气管(1)和多根中部进气管(2)伸入绝热外壳(24)内,绝热外壳(24)的顶部设置有气流出口(3),所述气流出口(3)作为籽晶杆(16)的移动通道,所述绝热外壳(24)内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板(8)和用于调整生长室(23)局部温度的顶部辅助电阻加热器(6),所述可伸缩遮热板(8)能调整伸入生长室(23)的长度,可伸缩遮热板(8)和顶部辅助电阻加热器(6)均位于坩埚(20)的上方。
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