[发明专利]一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备在审
| 申请号： | 201410795888.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104465293A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张庆钊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/141 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和第一等离子聚焦结构，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述第一等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，呈中空结构且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 等离子体 设备 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于等离子体设备的腔室结构，其特征在于，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和第一等离子聚焦结构，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述第一等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，呈中空结构且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布。
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