[发明专利]提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法在审
| 申请号： | 201410795960.1 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105780107A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 娄艳芳;彭同华;赵宁;刘春俊;王波;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所;北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 牛海军 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法。所述提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法包括下列步骤：1)在用于碳化硅晶体生长的籽晶的生长面的背面镀上高温薄膜；以及2)将通过步骤(1)得到的镀膜籽晶在高温下退火。所述用于碳化硅晶体生长的方法包括将镀膜籽晶以镀膜面朝向坩埚盖的底部的方式固定在坩埚盖上，并且通过物理气相传输法进行碳化硅晶体生长。根据本发明，通过在用于碳化硅晶体生长的籽晶的生长面的背面镀上一层致密的耐高温薄膜，可以抑制碳化硅晶体生长过程中的背向蒸发，减少平面六方空洞等缺陷，从而提高碳化硅晶体生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 碳化硅 晶体生长 质量 籽晶 处理 方法 以及 用于 | ||
【主权项】：
一种提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法，所述方法包括以下步骤：(1)在用于碳化硅晶体生长的籽晶的生长面的背面镀上高温薄膜；以及(2)将通过步骤(1)得到的镀膜籽晶在高温下退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所;北京天科合达半导体股份有限公司，未经中国科学院物理研究所;北京天科合达半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410795960.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
