[发明专利]一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法，包括：在预制基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成中间层；在中间层上涂布光阻材料形成光阻层，并用光罩对光阻层进行第一次曝光；按一预定方向相对于光罩移动具有第一次曝光处理后的光阻层的预制基底，并采用光罩对所述光阻层进行第二次曝光；去除光阻层上受到曝光的光阻材料，以在光阻层上形成光阻区和镂空区，其中，光阻区包括中心部和翼部，镂空区不包含光阻材料；在半导体材料层中形成对应于翼部的离子轻掺杂区，以及对应于镂空区的用于形成源漏极的离子重掺杂区。本发明可以在制作LTPS面板时，减少面板的制作工序并能降低面板的生产成本。

主权项

1.一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在预制基底上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成中间层；在所述中间层上涂布光阻材料形成光阻层，并用光罩对所述光阻层进行第一次曝光；按一预定方向相对于所述光罩移动具有第一次曝光处理后的光阻层的预制基底，并采用所述光罩对所述光阻层进行第二次曝光；去除所述光阻层上受到曝光的光阻材料，以在所述光阻层上形成光阻区和镂空区，其中，所述光阻区包括中心部和翼部，所述镂空区不包含光阻材料；以所述光阻区为掩膜，在所述半导体材料层中形成对应于所述翼部的离子轻掺杂区，以及对应于所述镂空区的用于形成源漏极的离子重掺杂区。