[发明专利]制备高孔隙率原位生长硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法有效

专利信息
申请号: 201410796726.0 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN104478411A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 陈善华;辜丽欢;孙刚;陈博;程军超;姜志鹏 申请(专利权)人: 成都理工大学
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B38/06;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610059 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种制备高孔隙率原位生长硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法,该方法以碱式碳酸镁和硼酸为原料、硝酸盐为催化剂、甲基纤维素钠为粘结剂、聚丙烯酰胺为分散剂,包括以下步骤:①球磨混料;②浆料制备;③注模成型和定向冷冻固化;④真空冷冻干燥;⑤常压烧结;⑥洗涤。与现有的发明相比,本发明制备出了孔隙率高达85 %的原位生长硼酸镁晶须多孔陶瓷,一方面解决了采用现有技术制备原位生长硼酸镁晶须多孔陶瓷孔隙率偏低的问题,另一方面解决了制备硼酸镁晶须多孔陶瓷工艺过程中混料不均匀导致晶须生长不均匀等问题。
搜索关键词: 制备 孔隙率 原位 生长 硼酸 镁晶须 多孔 陶瓷 方法
【主权项】:
一种制备高孔隙率原位生长硼酸镁晶须多孔陶瓷的方法,该方法以碱式碳酸镁和硼酸为原料、硝酸盐为催化剂、甲基纤维素钠为粘结剂、聚丙烯酰胺为分散剂,包括以下步骤:①球磨混料;②浆料制备;③注模成型和定向冷冻固化;④真空冷冻干燥;⑤常压烧结;⑥洗涤。
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