[发明专利]一种放电管芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种放电管芯片的制造方法，其包括以下步骤：(1)对硅片进行一次氧化；(2)对深硼区进行光刻；(3)深硼扩散；(4)深硼氧化；(5)对硅片的基区进行光刻；(6)淡硼扩散；(7)淡硼氧化；(8)对硅片的发射区进行光刻；(9)磷扩散；(10)对硅片上两芯片之间进行台面槽光刻；(11)利用腐蚀液对台面槽光刻部位进行台面槽腐蚀；(12)在1150-1190℃下进行氧化，氧化40-100分钟；(13)对硅片进行双面引线光刻；(14)对硅片进行双面金属化；(15)金属光刻；(16)真空合金。本发明方法能有效避免芯片在烧结过程中造成的切割面短路问题，确保了芯片的质量，降低了生产成本，避免在高温环境中造成芯片的缺陷，而且还有利于划片。

主权项

一种放电管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)对硅片的两面同时进行一次氧化，形成一次氧化层；(2)对硅片一次氧化层的深硼区进行光刻；(3)深硼扩散，深硼扩散的温度在1050‑1150℃范围内，深硼扩散时间在50‑100分钟；(4)深硼氧化，深硼氧化的温度在1220‑1270℃范围内，深硼氧化时间在30‑120小时；(5)对硅片的基区进行光刻；(6)在950‑1050℃下进行淡硼扩散，扩散时间为50‑100分钟；(7)在1220‑1270℃下进行淡硼氧化，氧化时间为7‑15小时；(8)对硅片的发射区进行光刻；(9)在1130‑1170℃下进行磷扩散，扩散时间为40‑60分钟；(10)对硅片上两芯片之间进行台面槽光刻；(11)利用硅腐蚀液对台面槽光刻部位进行台面槽腐蚀；(12)在1150‑1190℃下进行氧化，氧化时间为40‑100分钟；(13)对硅片进行双面引线光刻；(14)对硅片进行双面金属化；(15)金属光刻；(16)在真空状态下对硅片进行合金化。