[发明专利]硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和电池有效
| 申请号： | 201410798296.6 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105762225B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张树旺;李宝胜;蔡明;杨富琨;李立伟;郭铁 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和硅异质结太阳能电池，涉及太阳能技术领域，用以提高硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。在本发明实施例中，将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；采用第一温度、第一气压，对所述密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压；从而提高了硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅异质结 太阳能电池 退火 制备 方法 电池 | ||
【主权项】：
一种硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，该退火方法包括：将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；采用第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
