[发明专利]存储器装置、集成电路装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410798382.7 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105321542A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 林立颖;叶腾豪;胡志玮;陈介方 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置、集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：基板上的存储单元阵列；行/列线配置在阵列中；行/列线包含通路晶体管，通路晶体管在第一图案层内包括半导体层带；半导体层带包括半导体通道主体、接触区域及延伸部；接触区域位于半导体通道主体的一侧，延伸部位于半导体通道主体的另一侧，并延伸至阵列内的存储单元；选择线位于第二图案化层，第二图案化层横跨半导体通道主体。通路晶体管结构可实施于阵列中用于行/列线的扇出结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包括：一基板；一存储单元阵列，位于该基板上，该存储单元阵列包括一行/列线；该行/列线包括一通路晶体管结构，该通路晶体管结构包括：一半导体层带，位于该基板上的一第一图案化层内；该半导体层带包括一半导体通道主体、一接触区域及一延伸部，该接触区域位于该半导体通道主体的一侧，该延伸部位于该半导体通道主体的另一侧，该延伸部耦接该存储单元阵列；一选择线，位于一第二图案化层内，该第二图案化层横跨该半导体通道主体；一行/列线选择信号产生器，连接于该选择线，并产生一选择信号；以及一行/列线电压产生器，连接于该接触区域，并产生一行/列线电压。
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