[发明专利]一种用于DRAM中的高速离线驱动器在审
| 申请号： | 201410798512.7 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104681080A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘海飞 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于DRAM中的高速离线驱动器，包括反相器、与非门、或非门、p型MOS管以及n型MOS管，所述与非门包括p型MOS管P0、p型MOS管P1、p型MOS管P2、n型MOS管N0、n型MOS管N1以及n型MOS管N2。采用本发明的结构，可以保证在DRAM中，数据信号bdata_pfet和数据信号bdata_nfet完全匹配，离线驱动器OCD的输出data_out的占空比为50％，以及输出数据data_out上升沿的电压转换速率(slew-rate)和下降沿的电压转换速率(slew-rate)一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 dram 中的 高速 离线 驱动器 | ||
【主权项】：
一种用于DRAM中的高速离线驱动器，包括反相器、与非门、或非门、p型MOS管以及n型MOS管，其特征在于：所述与非门和或非门的上升沿匹配，所述与非门和或非门的下降沿匹配。
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