[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散，所述液态掺杂源覆盖阻挡层表面，并在沟槽周围的半导体衬底中形成与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺，降低了工艺难度。另外，本发明在形成掺杂区后，采用填充性较佳的介质材料进行沟槽填充，有利于形成没有缝隙或空洞的填充层，使沟槽内部填充没有缺陷，降低了对沟槽刻蚀工艺的要求，保证器件的高压性能和可靠性要求。

主权项

1.一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括：提供具有特定掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层和半导体衬底形成沟槽；在所述沟槽内壁以及介质层上形成阻挡层；采用与所述半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散工艺，所述液态掺杂源覆盖所述阻挡层表面，并在所述沟槽全部侧壁和底壁周围的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区；去除所述阻挡层、液态掺杂源以及介质层；以及在所述沟槽中形成填充层。