[发明专利]半导体圆片级封装结构有效
| 申请号： | 201410800043.8 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104617069A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 徐小锋 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体圆片级封装结构，包括半导体芯片、再配线电极、再形成电极层、金属锡球和树脂层。其中：再配线电极形成于半导体芯片上；再形成电极层形成于再配线电极之上；金属锡球与再形成电极层焊接；树脂层包覆于金属锡球的周围，且树脂层的厚度小于金属锡球的高度。本发明的半导体圆片级封装结构，机械可靠性强，在受力不均匀时可减小整个封装结构失效的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 圆片级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体圆片级封装结构，包括半导体芯片、再配线电极、再形成电极层和金属锡球；其特征在于，还包括树脂层；其中：所述再配线电极形成于所述半导体芯片上；所述再形成电极层形成于所述再配线电极之上；所述金属锡球与所述再形成电极层焊接；所述树脂层包覆于所述金属锡球的周围，且所述树脂层的厚度小于所述金属锡球的高度。
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