[发明专利]阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201410800496.0 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104465511A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 郭建 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法，其中阵列基板的制造方法包括沉积像素电极层以及源漏电极层；对源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极，形成源电极、漏电极，源电极以及漏电极位于像素电极的上方。阵列基板包括：栅绝缘层以及有源层上的像素电极；形成于像素电极上方的源电极以及漏电极；像素电极的材料是氧化铟锌，源电极、漏电极由源漏电极层刻蚀形成，源漏电极层的像素电极区域被干法刻蚀暴露形成像素电极。本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。本发明的技术方案，像素电极位于源电极以及漏电极的下方，对源漏电极层的像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，保证像素电极层不被腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在有源层上方沉积像素电极层以及源漏电极层；对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极，形成源电极、漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
