[发明专利]留边波浪切高方阻铝金属化膜在审
| 申请号： | 201410800785.0 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104465094A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 曹骏骅;吴平 | 申请（专利权）人： | 安徽赛福电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/015 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 244000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种留边波浪切高方阻铝金属化膜，包括绝缘质地的基膜和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜的一侧，所述基膜的另一侧设置有留边，所述留边的边缘侧为波浪切边结构；所述金属镀层朝向所述留边的一侧为镀层厚度一致的高阻区，所述金属镀层背向所述留边的一侧为镀层厚度一致的低阻区，所述高阻区的镀层厚度小于所述低阻区的镀层厚度，且所述高阻区和所述低阻区之间设置有镀层厚度渐变的过渡区。本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，改善了电容器制成品的耐压性能，高阻区可以适应大电流的冲击，并增强与喷金层的融接能力，使接触电阻下降到更低的可控范围。 | ||
| 搜索关键词： | 波浪 切高方阻铝 金属化 | ||
【主权项】：
留边波浪切高方阻铝金属化膜，其特征是，包括：绝缘质地的基膜（1）和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜（1）的一侧，所述基膜（1）的另一侧设置有留边（11），所述留边（11）的边缘侧为波浪切边结构；所述金属镀层朝向所述留边（11）的一侧为镀层厚度一致的高阻区（21），所述金属镀层背向所述留边（11）的一侧为镀层厚度一致的低阻区（23），所述高阻区（21）的镀层厚度小于所述低阻区（23）的镀层厚度，且所述高阻区（21）和所述低阻区（23）之间设置有镀层厚度渐变的过渡区（22）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽赛福电子有限公司，未经安徽赛福电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410800785.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
