[发明专利]一种用于重金属离子检测的碳纳米线微阵列电极制备方法在审
| 申请号： | 201410801879.X | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105758907A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 金庆辉;金妍;刘丹;黄善洛;王晓冬;邵云;许宝建;赵建龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海蓝迪数码科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于重金属离子检测的碳纳米线微阵列电极制备方法，其特征在于所述的方法基于MEMS工艺的负性光刻胶碳化工艺，基于因几何结构限制引起负性光刻胶刻蚀速率分布不同的现象，通过控制显影时间来控制亚微米级光刻胶丝线阵列的形成，然后置于N2(95％)+H2(5％)保护下，经高温热解形成碳纳米线阵列。本发明结合MEMS工艺，在碳表面制作纳米尺寸结构，增大电极比表面积，同时结合微阵列电极的优势，提高重金属离子检测的灵敏度、缩短检测时间。本发明可广泛应用于电化学分析各个领域、特别适合于地表水、污水、饮料中的溶出伏安法测定重金属离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 重金属 离子 检测 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米线阵列电极的制备方法，其特征在于基于MEMS制造工艺的负性光刻胶碳化工艺，基于因几何结构限制引起负性光刻胶刻蚀速率分布不同的现象，通过控制显影时间来控制亚微米级光刻胶丝线阵列的形成，然后将样品置于体积比为95％N2和5％H2的混合气体保护下，经高温热解形成碳纳米线阵列。
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