[发明专利]半导体元件

摘要

本发明公开了一种半导体元件，包括形成于基板中的高压及低压金属氧化物半导体。高压金属氧化物半导体包括第一导电型与第一掺杂程度的第一半导体区、第一导电型与第二掺杂程度的第二半导体区、第二导电型的第三半导体区、及第一导电型的第四半导体区。第二掺杂程度低于第一掺杂程度。第一、第二、第三、与第四半导体区是依序沿第一方向排列，且分别是高压金属氧化物半导体的漏极区、漂移区、通道区、与源极区。低压金属氧化物半导体包括第四半导体区、第二导电型的第五半导体区、与第一导电型的第六半导体区。第四、第五、与第六半导体区是依序沿第二方向排列，且分别是低压金属氧化物半导体的漏极区、通道区、与源极区。第二方向不同于第一方向。

主权项

1.一种半导体元件，包括：一基板；一高压金属氧化物半导体结构，形成于该基板中，该高压金属氧化物半导体结构包括：一第一半导体区，具有一第一导电型与一第一掺杂程度，该第一半导体区是该高压金属氧化物半导体结构的一漏极区；一第二半导体区，具有该第一导电型与一第二掺杂程度，该第二掺杂程度是低于该第一掺杂程度，该第二半导体区是该高压金属氧化物半导体结构的一漂移区；一第三半导体区，具有一第二导电型，该第三半导体区是该高压金属氧化物半导体结构的一通道区；以及一第四半导体区，具有该第一导电型，该第四半导体区是该高压金属氧化物半导体结构的一源极区，其中该第一半导体区、该第二半导体区、该第三半导体区、与该第四半导体区是依序沿一第一方向排列；一低压金属氧化物半导体结构，形成于该基板中，该低压金属氧化物半导体结构包括：一第五半导体区，具有该第二导电型，该第五半导体区是该低压金属氧化物半导体的一通道区；及一第六半导体区，具有该第一导电型，该第六半导体区是该低压金属氧化物半导体结构的一源极区，其中：该第四半导体区是该低压金属氧化物半导体结构的一漏极区，且该第四半导体区、该第五半导体区、与该第六半导体区是依序沿一第二方向排列，该第二方向不同于该第一方向。