[发明专利]拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410803388.9 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104466647B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 闫培光;阮双琛;曹广忠 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/067 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 | 代理人： | 陈健 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光技术领域，尤其涉及一种拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法。该拓扑绝缘体可饱和吸收镜包括基底及镀在所述基底上的拓扑绝缘体薄膜。制备方法包括如下步骤将基底及拓扑绝缘体靶材置于真空室；将所述拓扑绝缘体靶材表面电离化，产生所述拓扑绝缘体的等离子体，所述等离子体沉积在所述基底上形成拓扑绝缘体薄膜；控制沉积时间及/或沉积温度使所述拓扑绝缘体薄膜达到所需厚度。这种新型拓扑绝缘体可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高，适于批量生产，同时，利用这种拓扑绝缘体可饱和吸收镜的锁模光纤激光器具有高可靠性和适于成果转化的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 绝缘体 饱和 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种拓扑绝缘体可饱和吸收镜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将基底及拓扑绝缘体靶材置于真空室；将所述拓扑绝缘体靶材表面电离化，产生所述拓扑绝缘体的等离子体，所述等离子体沉积在所述基底上形成拓扑绝缘体薄膜，所述拓扑绝缘体薄膜的材料包括碲化铋或硒化铋；控制沉积时间及/或沉积温度使所述拓扑绝缘体薄膜达到所需厚度。
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