[发明专利]金属栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410803489.6 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789274B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 林志雄;张嘉德;徐帆毅;许秉诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构，该半导体结构包括具有表面的半导体层和位于半导体层的表面上方的限定金属栅极的层间电介质(ILD)。该金属栅极包括高k介电层、覆盖层和功函金属层。远离覆盖层的拐角的覆盖层侧壁的厚度基本上薄于覆盖层底部的中心周围的厚度。本发明提供了制造半导体结构的方法。该方法包括：形成金属栅极凹槽，形成高k介电层，形成第一覆盖层，在第一覆盖层上形成第二覆盖层，去除或减薄第一覆盖层侧壁，以及去除第二覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有表面；层间电介质(ILD)，位于所述半导体衬底的表面上方并且限定凹槽；间隔件，内衬于所述凹槽的侧壁；高k介电层，内衬于所述凹槽的底部和所述间隔件的侧壁；覆盖层，位于所述高k介电层上，其中，所述覆盖层的底部和所述高k介电层的底部形成靠近所述凹槽的底部的界面；功函金属层，位于所述覆盖层上；其中，所述覆盖层的底部的中心周围的厚度为T1，所述覆盖层的侧壁部分包括倾斜部分，所述倾斜部分的一端与所述界面的距离为T1，所述倾斜部分的另一端在从所述界面测量的距离大于T1的4倍处，所述另一端的厚度厚于0并且薄于0.5T1。
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