[发明专利]一种自适应的字线电压调节型SRAM结构在审
| 申请号： | 201410803745.1 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104464797A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;李力南;胡玉青 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 | 代理人： | 魏秀莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种自适应的字线电压调节型SRAM结构，主要包括存储阵列SRAM模块、非易失性存储器NVM（NonvolatileMemory，NVM）模块、以及用于抬高读操作时字线WL的电压值的WLboost电路模块，所述SRAM模块分成多个用于存储数据的Sub-block子块，每个Sub-block子块上分别设有一个WLboost电路模块，所有的Sub-block子块共用一个NVM模块，每个Sub-block子块分别与存储在NVM模块中的一段代码对应，所述WLboost电路模块通过NVM模块中存储的各个Sub-block子块对应的的代码来选择字线WL电压的抬高值。采用本发明技术方案，通过改变字线WL电压的抬高值来减小tailbit出现的概率，提高SRAM的良率，并且调节范围大，调节方便，能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 电压 调节 sram 结构 | ||
【主权项】：
一种自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，主要包括存储阵列SRAM模块、非易失性存储器NVM模块、以及用于抬高读操作时字线WL的电压值的WL boost电路模块，所述SRAM模块分成多个用于存储数据的Sub‑block子块，每个Sub‑block子块上分别设有一个WL boost电路模块，所有的Sub‑block子块共用一个NVM模块，每个Sub‑block子块分别与存储在NVM模块中的一段代码对应，所述WL boost电路模块通过NVM模块中存储的各个Sub‑block子块对应的的代码来选择字线WL电压的抬高值。
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