[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410804444.0 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105762190B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上垂直突起，沿第一方向延伸；源漏区，形成在每个鳍片结构的沿第一方向的两端；沟道区，包含多个纳米线，沿第一方向连接在源漏区之间；栅极堆叠结构，沿第二方向延伸，包围了每个纳米线。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片状源漏区之间形成纳米线的沟道，节省了工艺成本，降低了工艺复杂度，并有效提高栅控能力和器件密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个第一掩模图形；在衬底上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构，跨越多个第一掩模图形；以多个第一掩模图形以及假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀衬底，形成多个沿第一方向延伸的鳍片结构，鳍片结构沿第二方向的侧面具有从衬底突起的台面；在鳍片结构中、假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧，形成源漏区；去除假栅极堆叠结构，露出第一掩模图形；以第一掩模图形为掩模，刻蚀衬底以及台面，形成多个纳米线构成的沟道区。
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