[发明专利]晶化介孔硅酸镁粉体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410804582.9 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN104495861A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 陆青山;李强;李景峰;董晨浩;卢锦华;张晶晶;初永辉 申请(专利权)人: 内蒙古大学
主分类号: C01B33/22 分类号: C01B33/22
代理公司: 呼和浩特北方科力专利代理有限公司 15100 代理人: 王社
地址: 010021 内蒙*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明公开了晶化介孔硅酸镁(3MgO·4SiO2·2H2O)粉体及其制备方法。本晶化介孔硅酸镁粉体具有二维六方介孔结构,介孔孔壁是由晶态硅酸镁构成。制备方法是以C填充的介孔氧化硅SBA-15(C@SBA-15)作为辅助模板和硅源,以MgCl2·6H2O作为镁源,以NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应介质,在一定温度和一定时间下进行水热反应,获得晶化介孔硅酸镁。在水热反应过程中,C@SBA-15中的SiO2作为反应物参与反应,C@SBA-15中的C对介孔孔壁起到支撑作用,反应所生成的硅酸镁包覆在C表面上形成壳层,该硅酸镁壳层作为介孔孔壁。水热反应产物经过高温煅烧后去除C形成介孔孔道,最终得到晶化介孔硅酸镁粉体。所制备的介孔硅酸镁粉体有序度高、孔径和比表面积大、结晶性高、稳定性好。
搜索关键词: 晶化介孔 硅酸 镁粉 及其 制备 方法
【主权项】:
晶化介孔硅酸镁粉体,其特征在于:反应物是以C填充的介孔氧化硅SBA‑15(C@SBA‑15)作为辅助模板和硅源,以MgCl2·6H2O作为镁源,以NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应介质,所制备的晶化介孔硅酸镁具有二维六方介孔结构,孔壁是由晶态硅酸镁构成,介孔平均孔径为5~7nm,比表面积为400~550m2/g,孔体积为0.725~0.950cm3/g。
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