[发明专利]一种在衬底中刻蚀特征的方法有效
| 申请号： | 201410806198.2 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104733304B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 海尤玛·阿什拉夫 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 归莹;张颖玲<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明，提供了一种在衬底中刻蚀特征的方法，该方法包括以下步骤：在所述衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构限定了至少一个凹陷开口；使用循环刻蚀沉积工艺穿过所述开口刻蚀所述衬底以形成所述特征；以及去除所述掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 刻蚀 特征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底中刻蚀特征的方法，包括以下步骤：/n在所述衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构限定了至少一个凹陷开口，其中所述凹陷开口包括凹陷侧壁，所述凹陷侧壁朝向所述开口的底部向外成锥度；/n使用循环刻蚀沉积工艺穿过所述开口刻蚀所述衬底以形成所述特征；以及/n去除所述掩膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
