[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410808031.X 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN105374693B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 余振华;林俊成;蔡柏豪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例为一种方法,包括:形成第一管芯封装件,第一管芯封装件包括第一管芯、第一电连接件和第一再分布层,第一再分布层连接至第一管芯和第一电连接件;在第一管芯封装件上方形成底部填充物;图案化底部填充物以具有露出第一电连接件的一部分的开口;以及利用接合结构将第二管芯封装件接合至第一管芯封装件,接合结构连接至底部填充物的开口中的第一电连接件。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种形成半导体封装件的方法,包括:形成第一封装件,包括:在载体衬底上方形成第一介电层;在所述第一介电层上方形成第一电连接件;将第一管芯附接为与所述第一电连接件相邻且位于所述第一介电层上方,所述第一管芯的第一侧邻近所述第一介电层,所述第一管芯的第二侧远离所述第一介电层,所述第一管芯具有位于所述第二侧上的接合焊盘;在所述第一管芯和所述第一电连接件上方形成再分布层;在所述再分布层上方形成第二电连接件,所述第二电连接件连接至所述第一管芯和所述第一电连接件中的至少一个;去除所述载体衬底以露出所述第一介电层;和去除所述第一介电层以露出所述第一管芯和所述第一电连接件的一部分;利用接合结构将第二封装件接合至所述第一封装件,所述接合结构连接至所述第一电连接件;以及在所述第一封装件和所述第二封装件之间形成底部填充物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410808031.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top