[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括基底、多个隧穿介电层、多个隔离结构以及多个顶盖层。隧穿介电层位于基底上。每一隔离结构具有上部与下部。隔离结构的下部位于基底中，且与隧穿介电层沿着第一方向相互交替。隔离结构的上部位于下部上。顶盖层位于隔离结构的上部上，且其顶面为一平面。

主权项

1.一种存储元件，包括：一基底，具有多个第一区与多个第二区，其中这些第一区与这些第二区沿着一第一方向延伸，且沿着一第二方向相互交替；多个隧穿介电层，位于该基底上，这些隧穿介电层沿着该第二方向延伸，且横越这些第一区与这些第二区；多个隔离结构，每一隔离结构具有一上部与一下部，其中这些隔离结构的这些下部位于该基底中，与这些隧穿介电层沿着该第一方向相互交替，这些隔离结构的这些上部位于这些下部上；多个顶盖层，位于这些隔离结构的这些上部上，其中这些顶盖层的顶面为一平面；多个第一导体层，位于这些第二区的这些隧穿介电层上；一介电层，覆盖在这些第一导体层上；以及一第二导体层，位于该介电层上，该第二导体层具有一主体部与多个延伸部，这些延伸部与这些第一导体层沿着该第一方向相互交替；其中每一隔离结构的该上部以及位于该上部上的该顶盖层的结构满足下列式(1)至式(2)：式(1)：b≤a＜c，式(2)：b≥1/3a，其中a为该第二导体层的每一延伸部的底部宽度，b为每一顶盖层的顶面宽度，c为每一隔离结构的该上部的底面宽度。