[发明专利]一种集成自适应基准缓冲器的低压差线性稳压器

摘要

本发明公开了一种集成自适应基准缓冲器的低压差线性稳压器，通过自适应增加自适应基准缓冲器中的偏置电流，来自动调节缓冲基准电压值，抵消由负载电流增加引起的输出电压下降。这样克服了现有片上集成低压差线性稳压器在运算放大器增益较低时，负载调整率变差的问题。在实际的电路配置时，不需要过多额外的辅助电路，也不需要任何电阻和电容，结构简单，可以在低功耗下实现快速的瞬态响应，同时提升负载调整率。

主权项

一种自适应基准缓冲器，其特征在于，包括：一恒定偏置电压生成电路，包括PMOS管MP9、NMOS管MN7、NMOS管MN8；PMOS管MP9的漏极、PMOS管MP9的栅极、NMOS管MN8的漏极相连，接PMOS管的恒定偏置电压VBP，PMOS管MP9的源极接电源电压VDD；NMOS管MN7的栅极、NMOS管MN的漏极、NMOS管MN8的栅极与外部恒定电流源IB相连，用于产生NMOS管的恒定偏置电压VBN；NMOS管MN7和MN8的源极均接地；一控制电压生成电路，包括PMOS管MP5、PMOS管MP6和NMOS管MN4；外部的基准电压源VREF与PMOS管MP5的漏极和PMOS管MP6的源极相连接，PMOS管MP5的栅极连接PMOS管的恒定偏置电压VBP，PMOS管MP5的源极接电源电压VDD；PMOS管MP6的栅极、PMOS管MP6的源极和NMOS管MN4的漏极相连接；NMOS管MN4的栅极接NMOS管的恒定偏置电压VBN，NMOS管MN4的源极接地；一精确电压跟随器，包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4和NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP4的源极均连接电源电压VDD，PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP4的栅极均连接PMOS管的恒定偏置电压VBP，PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP2的栅极和NMOS管MN1的漏极相连接；PMOS管MP2的漏极、PMOS管MP3的源极相连，接缓冲输出基准电压～VREF；PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN1源极和NMOS管MN2的漏极相连，接入到自适应基准控制电路的NMOS管MN6漏极；PMOS管MP3的栅极、NMOS管MN3的源极相连，接控制电压生成电路的PMOS管MP6的栅极；PMOS管MP4的漏极、NMOS管MN3的栅极、NMOS管MN3的漏极和NMOS管MN1的栅极均相连接；NMOS管MN2的栅极接NMOS管的恒定偏置电压VBN，NMOS管MN2的源源极接地；一自适应偏置电压生成器，包括PMOS管MP7、PMOS管MP8和NMOS管MN5；PMOS管MP7的栅极连接调整管栅极电压VG，PMOS管MP7的源极接电源电压VDD，PMOS管MP7的漏极接PMOS管MP8的源极；PMOS管MP8的栅极接控制电压生成电路的PMOS管MP6的栅极，即控制电压生成电路的输出电压，PMOS管MP8的漏极、NMOS管MN5的漏极、NMOS管MN5的栅极、NMOS管MN6的栅均相连，接入到NMOS管的自适应偏置电压VBNA；NMOS管MN5的源极接地；一自适应基准控制器，包括NMOS管MN6；NMOS管MN6的源极接地；NMOS管MN6的漏极接精确电压跟随器的NMOS管MN2的漏极，NMOS管MN6的栅极接入到NMOS管的自适应偏置电压VBNA；通过NMOS管MN6动态增加缓冲器偏置电流，自动调节缓冲基准电压值。