[发明专利]柔性衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201410809460.9 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789473B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 薛慕蓉;陈红;吴伟力 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种柔性衬底及其制备方法，其中柔性衬底包括依次层叠的第一聚合物层、第一硅保护层、原子层沉积膜、第二硅保护层及第二聚合物层。上述柔性衬底及其制备方法中，在两层聚合物层之间设置氧化铝原子层沉积膜，氧化铝原子层沉积膜具有良好的致密性，因此柔性衬底具备良好的防水/氧渗透性能，因此不需要设置较多的阻隔层，厚度小、韧性好。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性衬底，其特征在于，包括依次层叠的第一聚合物层、第一硅保护层、原子层沉积膜、第二硅保护层及第二聚合物层；所述第一硅保护层和第二硅保护层采用化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法形成，以使所述第一硅保护层与所述原子层沉积膜和所述第一聚合物层均具有较好的粘结力，且所述第二硅保护层与所述原子层沉积膜和所述第二聚合物层均具有较好的粘结力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410809460.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
