[发明专利]一种硅块的少子寿命检测方法有效
申请号: | 201410810984.X | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN105785251B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 汪万盾 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 314117 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种少子寿命检测方法,包括:将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域,在所述硅锭高度方向上,按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割;定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块,位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块,其他硅块为第三类硅块;对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测;其中,每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面;任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面;任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面;对同一个硅块,至多有一个被检测的表面;对任一硅块如其没有被检测的表面,其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。 | ||
搜索关键词: | 硅块 少子寿命检测 硅锭 检测 检测表面 工作效率高 四边 顶角区域 多个阵列 顶面 排布 切割 | ||
【主权项】:
1.一种硅块的少子寿命检测方法,其特征在于,包括:将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域,在所述硅锭高度方向上,按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块,M、N为正整数;定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块,位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块,其他硅块为第三类硅块;对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测,对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测,对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测;其中,每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面;任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面;任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面;对同一个硅块,至多有一个被检测的表面;对任一硅块如其没有被检测的表面,则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。
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