[发明专利]混合存储器以及基于MTJ的MRAM位单元和阵列有效
| 申请号： | 201410811852.9 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733036B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于混合eDRAM和MRAM存储器单元的装置，其包括：具有第一端子和第二端子的电容器；第一晶体管，其具有耦合到第一字线(WL)的栅极端子、耦合到位线(BL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电容器的所述第一端子的漏极端子/源极端子；具有第一端子和第二端子的电阻存储器元件，所述电阻存储器元件器件的所述第一端子耦合到所述电容器的所述第一端子；以及第二晶体管，其具有耦合到第二WL的栅极端子、耦合到源线(SL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电阻存储器元件器件的所述第二端子的漏极端子/源极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合到 漏极端子 源极端子 电容器 电阻存储器元件 栅极端子 晶体管 混合存储器 端子耦合 耦合 位单元 源线 字线 | ||
【主权项】：
1.一种用于改进写入和读取性能的装置，所述装置包括：电容器，其具有第一端子和第二端子；第一晶体管，其具有耦合到第一字线(WL)的栅极端子、耦合到位线(BL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电容器的所述第一端子的漏极端子/源极端子；电阻存储器元件，其具有第一端子和第二端子，所述电阻存储器元件的所述第一端子耦合到所述电容器的所述第一端子并且耦合到所述第一晶体管的漏极端子/源极端子；以及第二晶体管，其具有耦合到第二字线的栅极端子、耦合到源线(SL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电阻存储器元件的所述第二端子的漏极端子/源极端子。
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